ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜 Low-Leakage and Highly Reliable 1.5nm SiON Gate Dielectric Using Radical Oxynitridation for Sub-0.1μm CMOS

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著者

    • 東郷 光洋 TOGO Mitsuhiro
    • 日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Labs., System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation
    • 渡部 宏治 WATANABE Koji
    • 日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Labs., System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation
    • 山本 豊二 YAMAMOTO Toyoji
    • 日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Labs., System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation
    • 五十嵐 信行 IKARASHI Nobuyuki
    • 日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Labs., System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation
    • 辰巳 徹 TATSUMI Tohru
    • 日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Labs., System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation
    • 小野 春彦 ONO Haruhiko
    • 日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Labs., System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation
    • 最上 徹 MOGAMI Tohru
    • 日本電気株式会社 シリコンシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Labs., System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation

収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(56), 17-22, 2001-03-08 

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018991785
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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