ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性

• 高木 信一

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 水野 智久

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 杉山 直治

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 手塚 勉

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 畠山 哲夫

  個別半導体基盤技術ラボラトリー

• 黒部 篤

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

書誌事項

タイトル別名

• Device Structure and Electrical Characteristics of Strained-Si-on-Insulator (Strained-SOI) MOSFETs

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001 (56), 31-38, 2001-03-08

キーワード

• ひずみシリコン
• CMOS
• 移動度
• SOI
• SIMOX
• バンド構造

詳細情報

• CRID: 1573668925156126592
• NII論文ID: 10018991811
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles