素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_<ON>向上効果に与える影響 The Influence of The Device Miniaturization on The I_<ON> Enhancement in i-body SOI-MOSFET's

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著者

    • 黄 俐昭 KOH Risho
    • NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, System Device and Fundamental Research, NEC Corporation
    • 武村 久 TAKEMURA Hisashi
    • NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, System Device and Fundamental Research, NEC Corporation
    • 竹内 潔 TAKEUCHI Kiyoshi
    • NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, System Device and Fundamental Research, NEC Corporation
    • 最上 徹 MOGAMI Tohru
    • NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, System Device and Fundamental Research, NEC Corporation

収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(56), 39-46, 2001-03-08 

参考文献:  19件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018991843
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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