完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造 Suppression for Threshold Voltage Fluctuation due to SOI Thickness Variation in Fully-depleted SOI MOSFETs

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収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(56), 47-53, 2001-03-08 

参考文献:  9件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018991863
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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