完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造

• 沼田 敏典

• 野口 充宏

• 大脇 幸人

Bibliographic Information

Other Title

• カンゼン クウボウガタ SOI MOSFET ニ オケル SOI マクコウ ヘンドウ ニ ヨル シキイチバラツキ ノ ヨクセイ コウゾウ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 100 (668), 47-53, 2001-03-08

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• バックゲート
• 埋め込み酸化膜
• 短チャネル効果
• MOSデバイス技術
• SOI基板
• fully-depleted SOI MOSFET
• threshold voltage
• back-gate
• buried oxide
• short channel effect

Details

• CRID: 1520009407618647296
• NII Article ID: 10018991863
• NII Article ID: 110003311070
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 5738057
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5738057
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles