Niシリサイド・ショットキー障壁ソース/ドレインSOI-MOSFETの特性 Characteristic of SOI-MOSFET with Ni-silicide Schottky-Barrier Source/Drain

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著者

    • 中川 豪 NAKAGAWA Gou
    • 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology
    • 浅野 種正 ASANO Tanemasa
    • 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology

収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(56), 55-60, 2001-03-08

参考文献:  12件中 1-12件 を表示

  • <no title>

    HERGENROTHER J.

    Ext. Abs. 2000 Int. Conf. Solid State Devices and Materials, Sendai, 2000

    被引用文献1件

  • <no title>

    HISAMOTO D.

    応用物理学会シリコンテクノロジー研究会 7, 58-62, 1999

    被引用文献1件

  • <no title>

    LEPSELTER M. P.

    Proc. IEEE 56, 1088, 1968

    被引用文献1件

  • <no title>

    NISHISAKA M.

    Ext. Abs. 1997 Int. Conf. Solid State Devices and Materials, Hamamatsu, 1997

    被引用文献1件

  • <no title>

    ASANO T.

    Abstr. Int. Workshop on Advanced LSI's and Devices, 1999, 1999

    被引用文献1件

  • <no title>

    NISHISAKA M.

    Abstr. 56th Device Research Conf., 1998, 1998

    被引用文献1件

  • <no title>

    CRISTOLOVEANU S.

    Electrical Characterization of Silicon-On-Insulator Materials and Devices, 1995

    被引用文献1件

  • Silicon field-effect transistor based on quantum tunneling

    TUCKER J. R.

    Appl. Phys. Lett. 65(5), 618-620, 1994

    被引用文献13件

  • <no title>

    SNYDER J. P.

    Appl. Phys. Lett. 67, 1420, 1995

    被引用文献9件

  • <no title>

    NISHISAKA M.

    Jpn. J. Appl. Phys. 37, 1295, 1998

    DOI 被引用文献14件

  • Scaling theory for double-gate SOI MOSFET's

    田中 徹

    IEEE Transactions on Electron Devices 40(12), 2326-2329, 1993

    機関リポジトリ DOI 被引用文献14件

  • PtSiショットキー障壁SOI-MOSFET

    落合 保博 , 浅野 種正

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98(652), 21-26, 1999-03-10

    参考文献7件 被引用文献2件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018991873
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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