Niシリサイド・ショットキー障壁ソース/ドレインSOI-MOSFETの特性 Characteristic of SOI-MOSFET with Ni-silicide Schottky-Barrier Source/Drain

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著者

    • 中川 豪 NAKAGAWA Gou
    • 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology
    • 浅野 種正 ASANO Tanemasa
    • 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology

収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(56), 55-60, 2001-03-08 

参考文献:  12件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018991873
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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