ソース・ドレインの全層シリサイド化によるFD SOI MOSFETの高性能化 Enhancement of FD SOI MOSFET properties by the fully-silicided S/D structure

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  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(56), 61-66, 2001-03-08

参考文献:  13件中 1-13件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018991886
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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