BOX貫通コンタクトによる高耐圧SOI-ICの基板電位固定 Substrate's Potential Fixing of High Voltage SOI-IC by BOX Piercing Contact

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著者

    • 小林 研也 KOBAYASHI Kenya
    • 日本電気株式会社NECエレクトロンデバイス 半導体事業部 Semiconductor Division, NEC Electron Devices, NEC Corporation
    • 伊藤 将之 ITOU Masayuki
    • 日本電気株式会社NECエレクトロンデバイス 半導体事業部 Semiconductor Division, NEC Electron Devices, NEC Corporation
    • 高杉 一成 TAKASUGI Kazunari
    • 日本電気株式会社NECエレクトロンデバイス 半導体事業部 Semiconductor Division, NEC Electron Devices, NEC Corporation
    • 戸枝 雅寛 TOEDA Masahiro
    • 日本電気株式会社NECエレクトロンデバイス 半導体事業部 Semiconductor Division, NEC Electron Devices, NEC Corporation

収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(56), 73-78, 2001-03-08 

参考文献:  6件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018991910
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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