BOX貫通コンタクトによる高耐圧SOI-ICの基板電位固定

• 小林 研也

• 伊藤 将之

• 高杉 一成

Bibliographic Information

Other Title

• BOX カンツウ コンタクト ニ ヨル コウタイアツ SOI IC ノ キバン デンイ コテイ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 100 (668), 73-78, 2001-03-08

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• 高耐圧IC
• トレンチ
• MOSデバイス技術
• SOI基板
• High voltage IC
• SOI
• Trench
• Contact
• Substrate potential

Details

• CRID: 1520009407032373760
• NII Article ID: 110003311074
• NII Article ID: 10018991910
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 5738146
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5738146
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles