SiGeBiCMOS技術における熱処理トレードオフおよびボロンスパイク効果低減の検討

• 橋本 隆介

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 佐藤 文彦

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 青山 亨

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 鈴木 久満

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 吉田 宏

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 藤井 宏基

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

• 山崎 亨

  日本電気株式会社 先端デバイス開発本部

書誌事項

タイトル別名

• A 73GHz f_T 0.18μm RF-SiGe BiCMOS Technology considering Thermal Budget Trade-off and with reduced Boron-spike Effect on HBT Characteristics

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001 (44), 7-11, 2001-03-08

キーワード

• SiGeバイCMOS
• 遮断周波数
• 最大発振周波数

詳細情報

• CRID: 1571417125342844032
• NII論文ID: 10018991931
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles