SiGeBiCMOS技術における熱処理トレードオフおよびボロンスパイク効果低減の検討 A 73GHz f_T 0.18μm RF-SiGe BiCMOS Technology considering Thermal Budget Trade-off and with reduced Boron-spike Effect on HBT Characteristics

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著者

    • 佐藤 文彦 SATO F.
    • 日本電気株式会社 先端デバイス開発本部 ULSI Device Development Division, NEC Corporation
    • 青山 亨 AOYAMA T.
    • 日本電気株式会社 先端デバイス開発本部 ULSI Device Development Division, NEC Corporation
    • 鈴木 久満 SUZUKI H.
    • 日本電気株式会社 先端デバイス開発本部 ULSI Device Development Division, NEC Corporation
    • 吉田 宏 YOSHIDA H.
    • 日本電気株式会社 先端デバイス開発本部 ULSI Device Development Division, NEC Corporation
    • 藤井 宏基 FUJII H.
    • 日本電気株式会社 先端デバイス開発本部 ULSI Device Development Division, NEC Corporation
    • 山崎 亨 YAMAZAKI T.
    • 日本電気株式会社 先端デバイス開発本部 ULSI Device Development Division, NEC Corporation

収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(44), 7-11, 2001-03-08 

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018991931
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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