MOVPE法によるマイクロ波デバイス用III-V化合物半導体エピタキシャルウエハの大口径・量産技術 Mass production technology of large size III-V compound semiconductor epitaxial wafers for microwave devices by MOVPE

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  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(44), 33-38, 2001-03-08

参考文献:  17件中 1-17件 を表示

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  • Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth for High Electron Mobility Transistor LSIs

    OHORI Tatsuya , TOMESAKAI Nobuaki , SUZUKI Masahisa , KASAI Kazumi , KOMENO Junji

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 31(7A), L826-L828, 1992-07-01

    応用物理学会 被引用文献2件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018991962
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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