MOVPE法によるマイクロ波デバイス用III-V化合物半導体エピタキシャルウエハの大口径・量産技術

• 乙木 洋平

  日立電線

• 目黒 健

  日立電線

• 佐々木 幸男

  日立電線

• 田中 丈士

  日立電線

• 木原 倫夫

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• 坂口 春典

  日立電線

書誌事項

タイトル別名

• Mass production technology of large size III-V compound semiconductor epitaxial wafers for microwave devices by MOVPE

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001 (44), 33-38, 2001-03-08

キーワード

• MOVPE
• GaAs
• InP
• GaN
• エピタキシャル
• 量産技術
• マイクロ波
• HEMT
• HBT
• メタモルフィックHEMT

詳細情報

• CRID: 1574231875109946496
• NII論文ID: 10018991962
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles