Ｂｉナノワイヤ形成Ｓｉ（１００）表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察

• 上代 祐藏

  九州工業大学工学部電気工学科

• 吉岩 由人

  九州工業大学工学部電気工学科

• 塗木 貴彦

  九州工業大学工学部電気工学科

• 中村 慎太郎

  九州工業大学工学部電気工学科

• 碇 智徳

  宇部工業高等専門学校電気工学科

• 内藤 正路

  九州工業大学工学部電気工学科

• 西垣 敏

  九州工業大学工学部電気工学科

• 生地 文也

  九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科

書誌事項

タイトル別名

• A Scanning Tunneling Microscopy Study of the CuPc Adsorption on the Si(100) Surface with Bi-Line Structures
• Bi ナノワイヤ ケイセイ Si 100 ヒョウメン エノ ドウ フタロシアニン キュウチャク ノ ソウサ トンネル ケンビキョウ カンサツ

抄録

  The reaction dynamics of the Bi-line structure (BLS) with copper-phthalocyanine (CuPc) molecules have been investigated by scanning tunneling microscopy. Bi atoms deposited on the Si(100) surface at 400-500°C, form one-dimensional wires consisting of two chains of Bi dimers in the topmost layer. When CuPc molecules were deposited on the Si(100) surface with the BLSs at room temperature, we observed bright 4-spot shapes and c(4×4) structures in the terraces. When the surface was annealed at 200°C, the bright 4-spot disappeared and the area with c(4×4) periodicity increased. The CuPc molecules, adsorbed on BLSs, were dissociated by catalytic reaction of Bi atoms.<br>

収録刊行物

• 真空

  真空 50 (3), 196-198, 2007

  一般社団法人 日本真空学会

キーワード

• Electrical and Electronic Engineering
• Surfaces, Coatings and Films
• Condensed Matter Physics

詳細情報

• CRID: 1390001204065050240
• NII論文ID: 10019928199
• NII書誌ID: AN00119871
• DOI: 10.3131/jvsj.50.196
• ISSN: 18809413
• ISSN: 05598516
• NDL書誌ID: 8786616
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8786616
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可