ナノスケール半導体構造における準弾道電子輸送

• 佐野 伸行

  筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻

書誌事項

タイトル別名

• Quasi-ballistic electron transport in nanoscale semiconductor structures
• ナノスケール ハンドウタイ コウゾウ ニ オケル ジュンダンドウ デンシ ユソウ

抄録

チャネル長が10nmを切るナノスケール半導体デバイスの研究が活発化している一方で，スケーリング則の限界の兆候もちらつき始めている．ポストスケーリングに向けたブレークスルーを目指すうえで，極微細半導体構造での電子輸送機構の解明は，ますますその重要性を増してきているといえる．本稿では，輸送方程式を基礎にした最近の検討結果を中心にして，微細デバイスでの電子輸送の物理的考察を与える．特に，デバイスサイズが電子の平均自由行程よりも十分に短いナノスケールデバイスであっても，電子輸送は，弾道輸送で期待される単純な物理描像とは異なり，チャネル領域に形成される境界層での拡散的輸送が混在した準弾道輸送になっていることを明らかにする．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 76 (10), 1135-1141, 2007-10-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• electron transport
• semiconductor device
• ballistic transport
• Boltzmann equation
• device simulation
• silicon
• Monte Carlo simulation

詳細情報

• CRID: 1390564227314009984
• NII論文ID: 10019956738
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.76.10_1135
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 8966501
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/8966501
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8966501
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可