クラスター制御プラズマCVDによるa-Si:H薄膜堆積

• 白谷 正治

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 古閑 一憲

  九州大学大学院システム情報科学研究院

書誌事項

タイトル別名

• Deposition of a-Si:H films using cluster-controlled plasma CVD
• クラスター セイギョ プラズマ CVD ニ ヨル a Si H ハクマク タイセキ

抄録

クラスター制御プラズマCVDには二つの方向性がある．一つは，薄膜へのクラスターの混入を徹底的に抑制することにより，膜質の向上を目指す方向である．もう一つは，気相合成したクラスターを含有した薄膜を堆積し，膜の構造と物性を制御する方向である．本稿では，前者の方向性に焦点を絞り，クラスター制御プラズマCVDを実現するために必要な，クラスター挙動のその場観測法，およびクラスターの発生・成長・除去に関する制御法について概説した．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 77 (2), 155-159, 2008-02-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• cluster
• a-Si:H
• reactive plasma

詳細情報

• CRID: 1390001277360618624
• NII論文ID: 10021108570
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.77.2_155
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 9370713
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/9370713
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9370713
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可