単電子デバイスを用いたSi集積回路

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院 情報科学研究科

書誌事項

タイトル別名

• Integrated circuits made of silicon single-electron devices
• タンデンシ デバイス オ モチイタ Si シュウセキ カイロ

抄録

SiのCMOS集積回路の発展が高度な情報化社会の構築を支えてきたが，消費電力という壁が見えてきている．単電子デバイスは電子1個をも操れる究極の省電力な機能を秘めているが，現在のMOSFETを単純に置き換えることでは機能しない．単電子デバイスの機能を生かすためには，その特長を有効に活用する必要がある．ここでは，単電子デバイスの究極の特長である単電子転送技術が，すでに室温で，きわめて簡単なMOSFETを連結した構造のデバイスで実現していることと，単電子の長時間保存も簡単に実現できることを示し，新たな低消費電力と高機能化の両立に向けて，単電子デバイスの特長を生かした応用法を紹介する．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 77 (3), 281-285, 2008-03-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• single electron
• complementary metal-oxide semiconductor (CMOS)
• memory
• large scale integrated circuit (LSI)
• nanodot array

詳細情報

• CRID: 1390282752335634688
• NII論文ID: 10021108801
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.77.3_281
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 9406860
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9406860
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可