MOSFETの負バイアス温度不安定性の微視的メカニズム Microscopic mechanism of negative bias temperature instability (NBTI) in MOS devices

この論文をさがす

著者

    • 丸泉 琢也 MARUIZUMI Takuya
    • 武蔵工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Musashi Institute of Technology

収録刊行物

  • 應用物理  

    應用物理 77(6), 676-680, 2008-06-10 

    応用物理学会

参考文献:  13件

参考文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021109362
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    9537102
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
ページトップへ