MOSFETの負バイアス温度不安定性の微視的メカニズム

• 丸泉 琢也

  武蔵工業大学工学部電気電子工学科

• 牛尾 二郎

  ?日立製作所基礎研究所

書誌事項

タイトル別名

• Microscopic mechanism of negative bias temperature instability（NBTI）in MOS devices
• MOSFET ノ フ バイアス オンド フアンテイセイ ノ ビシテキ メカニズム

抄録

p-MOSFETを高温環境下，ゲート電極に負バイアスを印加した状態に保持した場合に観測される界面準位とゲート絶縁膜中の固定電荷の生成は，負バイアス温度不安定性（Negative Bias Temperature Instability : NBTI）と呼ばれ，CMOS信頼性を左右する実用上きわめて重要な現象である．NBTIのメカニズムに関しては不明な点がまだ多く，実験とシミュレーションによる解析とモデル化が進められている．本稿では，われわれが提案した微視的モデルとこれを用いたデバイス寿命予測について紹介するとともに，最近提案されたプロトン移動モデルについてふれる．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 77 (6), 676-680, 2008-06-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• MOSFET
• NBTI
• Si/SiO₂ interface
• First-principles calculations

詳細情報

• CRID: 1390282752332286464
• NII論文ID: 10021109362
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.77.6_676
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 9537102
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9537102
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可