次世代実用TCAD開発の現状と課題

• 中村 光利

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部 TCADプログラム

書誌事項

タイトル別名

• Current status and subjects on practical 3D TCAD for next generation
• ジセダイ ジツヨウ TCAD カイハツ ノ ゲンジョウ ト カダイ

抄録

半導体素子の開発コスト低減のために，実用的な計算時間内で高精度なシミュレーション結果が得られる実用三次元TCADが現場で必要になっている．実用TCADの分野は，有力海外TCAD会社の統合によって1社のほぼ寡占状態になり，海外ファウンドリーとの協力を強めて競争力を増してきている．一方，国内主要半導体メーカーが協力して開発している実用三次元TCADの現場では，競争力を強化するために，特に機密性が高いプロセスノウハウを必要とし，素子の微細化に伴って要求精度が非常に厳しい不純物分布シミュレーションに力を入れている．本稿では，TCAD応用の現場と，その中で重要な不純物分布シミュレーションの高精度化に着目して現状と課題を述べる．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 77 (7), 818-822, 2008-07-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• TCAD
• system
• process simulator
• device simulator
• accuracy
• calibration
• impurity diffusion
• model
• FLA
• LSA

詳細情報

• CRID: 1390001277355578752
• NII論文ID: 10021109463
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.77.7_818
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 9571271
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9571271
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可