有機TFTの高性能化と応用展開 Performance Improvement and Application of Organic Thin-film Transistor

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抄録

The interfaces, organic semiconductor/gate insulator and organic semiconductor/ source-drain (S-D) electrodes, in organic thin-film transistors (TFTs) are crucial for the improvement of transistor characteristics. We describe (1) the improvement of mobility and lowering driving voltage by treating the gate-insulator surface with self-assembled monolayers, and (2) the reduction of contact resistance by employing a carrier injection layer for the S-D electrodes in bottom-contact organic TFT.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. A, 基礎・材料・共通部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A, A publication of Fundamentals and Materials Society  

    電気学会論文誌. A, 基礎・材料・共通部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A, A publication of Fundamentals and Materials Society 128(7), 467-470, 2008-07-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  9件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021130146
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10136312
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03854205
  • NDL 記事登録ID
    9564969
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-793
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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