酸化亜鉛とペンタセン薄膜トランジスタを用いたコンプリメンタリー型論理素子の作製と評価 Fabrication and Evaluation of Complimentary Logic Circuits Using Zinc Oxide and Pentacene Thin Film Transistor

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抄録

We fabricated hybrid complementary inverters with n-channel zinc oxide (ZnO) transistors as the n-type inorganic material and p-channel organic transistors using pentacene as the p-type organic material. The complementary inverter exhibited a large voltage gain of 10-12 and a cut off frequency of 0.5 kHz. ZnO thin film transistors show n-type semiconducting properties having field effect mobility of 2.1×10<sup>-3</sup> cm<sup>2</sup>/Vs. On the other hand, pentacene thin film transistors show p-type semiconducting properties having field effect mobility of 3.2×10<sup>-2</sup> cm<sup>2</sup>/Vs. We describe basic charge transfer characteristics of ZnO thin films. The results obtained here demonstrate that it is important for the transistor using ZnO to be injected charge from electrode to semiconducting material effectively.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 128(2), 213-219, 2008-02-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  22件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021131241
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    9366715
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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