IFVD窓構造による高出力高信頼性915nm半導体レーザ High Power and High Reliable 915nm Lasers with Window Structure Fabricated by Impurity Free Vacancy Disordering (IFVD)

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

    • 谷口 英広 TANIGUCHI Hidehiro
    • 古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部 Optical Device Dept. FITEL Photonics Laboratory R & D Division, Furukawa Electric Co., Ltd.
    • 石井 宏辰 ISHII Hirotatsu
    • 古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部 Optical Device Dept. FITEL Photonics Laboratory R & D Division, Furukawa Electric Co., Ltd.
    • 湊 龍一郎 [他] MINATO Ryuichiro
    • 古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部 Optical Device Dept. FITEL Photonics Laboratory R & D Division, Furukawa Electric Co., Ltd.
    • 大木 泰 OHKI Yutaka
    • 古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部 Optical Device Dept. FITEL Photonics Laboratory R & D Division, Furukawa Electric Co., Ltd.
    • 行谷 武 NAMEGAYA Takeshi
    • 古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部 Optical Device Dept. FITEL Photonics Laboratory R & D Division, Furukawa Electric Co., Ltd.
    • 粕川 秋彦 KASUKAWA Akihiko
    • 古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部 Optical Device Dept. FITEL Photonics Laboratory R & D Division, Furukawa Electric Co., Ltd.

抄録

We have demonstrated high performance broad area single emitter lasers with window structure fabricated by newly developed impurity free vacancy disordering (IFVD) technique. Vacancies induce quantum well intermixing, leading to bandgap shift. We have succeeded in obtaining the large bandgap shift in window region and maintaining the original bandgap in gain region simultaneously. We can control the bandgap difference. A very high output power of 25.6W at 30A under pulsed operation was obtained without facet degradation. This is the one of the highest power for 100μm wide single emitter lasers. Moreover, no degradation and no sudden failure were observed for 5800 hours life test at 8W-20°C. We have, thus, realized the highest output power and high reliable lasers with window structure fabricated by IFVD.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 128(5), 713-716, 2008-05-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  6件

参考文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021132282
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    9495340
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
ページトップへ