InPベース波長2μm帯InGaAsSbN赤外量子井戸レーザ InP-Based InGaAsSbN Quantum Well Laser Diodes in 2μm Wavelength Region

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抄録

InGaAsSbN quantum well (QW) laser diodes on InP in 2μm wavelength region were grown by molecular beam epitaxy (MBE). It was found that increase in Sb composition improved properties of InGaAsSbN QW laser diodes. We observed electroluminescence at 4.51<i>μ</i>m at room temperature for InAsSbN QW laser diodes, and laser operation at 2.31 2μm at 190K. Annealing effects were also studied.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 128(5), 727-731, 2008-05-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  12件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021132313
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    9495393
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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