赤・近赤外パワー半導体レーザの放射線耐性 Radiation Hardness in Red and Infrared High Power Semiconductor Lasers

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抄録

Proton beams with energies of 10MeV and 200MeV were irradiated onto red (GaInP) and infrared (AlGaAs) high power (broad stripe) semiconductor lasers. Threshold current increases with increasing proton fluence. The change of threshold current in infrared lasers is much larger than that in red lasers. The proton energy dependence of threshold current damage factor is consistent with that of Non-Ionizing Energy Loss to some extent. Forward bias annealing effects were observed.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 128(5), 738-743, 2008-05-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  9件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021132338
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    9495438
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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