230-270nm深紫外AlGaN系LEDの進展 Development of 230-270nm AlGaN-Based Deep UV LEDs

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抄録

We demonstrated AlGaN multi-quantum well (MQW) deep ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs) with wavelength in the range of 227.5-273 nm fabricated on high-quality AlN buffers on sapphire substrates grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). We realized crack-free, thick AlN buffer on sapphire with low threading dislocation density (TDD) and atomically flat surface by using ammonia (NH<sub>3</sub>) pulse-flow multi-layer (ML) growth technique. We obtained single-peaked operation of the AlGaN-MQW LED with wavelength of 227.5 nm, which is the shortest wavelength of AlGaN-based LED on sapphire. The maximum output power and external quantum efficiency (EQE) of the 261 and 227.5 nm LEDs were 1.65 mW and 0.23% under room-temperature (RT) continuous-wave (CW) operation, and 0.15mW and 0.2% under RT pulsed operation, respectively.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 128(5), 748-756, 2008-05-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  16件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021132357
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    9495489
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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