ＡｌＧａＮ励起子分子による紫外線発光

• 横川 俊哉

  松下電器産業（株）先行デバイス開発センター

• 山田 陽一

  山口大学大学院理工学研究科物質工学系学域

書誌事項

タイトル別名

• Ultraviolet Biexcitonic Emission from AlGaN Ternary Alloys
• AlGaN レイキシ ブンシ ニ ヨル シガイセン ハッコウ

抄録

AlGaN三元混晶半導体は紫外線発光デバイス用材料として期待される。このAlGaNの励起子に由来する光物性について報告する。特に励起子分子に焦点をあて議論する。フォトルミネッセンス，時間分解発光，励起スペクトル分光法を用いて評価を行った。励起子分子の発光は広範囲のAlNモル分率で明確に観測された。時間分解発光において発光寿命はAlNモル分率と共に増加を示した。この発光寿命の増加は，Al組成不均一の増加により励起子および励起子分子が局在化することに起因するものと考えられる。さらに2光子の吸収によって励起子分子のストークスシフト量を求めた。このストークスシフト量は局在化の度合いを示唆する。AlNモル分率の増加と共にこのストークスシフト量は増加を示した。これは，励起子分子が局在化されることを示しAl組成不均一が増すことを示唆する。その結果，結合エネルギーの増加が生じることも確認された。

収録刊行物

• 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）

  電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 128 (5), 757-762, 2008

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• ワイドギャップ半導体
• AlGaN
• 紫外線発光
• 励起子
• 励起子分子

詳細情報

• CRID: 1390282679582703232
• NII論文ID: 10021132374
• NII書誌ID: AN10065950
• DOI: 10.1541/ieejeiss.128.757
• ISSN: 13488155
• ISSN: 03854221
• NDL書誌ID: 9495511
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9495511
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/128/5/128_5_757/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可