AlGaN励起子分子による紫外線発光 Ultraviolet Biexcitonic Emission from AlGaN Ternary Alloys

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抄録

AlGaN三元混晶半導体は紫外線発光デバイス用材料として期待される。このAlGaNの励起子に由来する光物性について報告する。特に励起子分子に焦点をあて議論する。フォトルミネッセンス,時間分解発光,励起スペクトル分光法を用いて評価を行った。励起子分子の発光は広範囲のAlNモル分率で明確に観測された。時間分解発光において発光寿命はAlNモル分率と共に増加を示した。この発光寿命の増加は,Al組成不均一の増加により励起子および励起子分子が局在化することに起因するものと考えられる。さらに2光子の吸収によって励起子分子のストークスシフト量を求めた。このストークスシフト量は局在化の度合いを示唆する。AlNモル分率の増加と共にこのストークスシフト量は増加を示した。これは,励起子分子が局在化されることを示しAl組成不均一が増すことを示唆する。その結果,結合エネルギーの増加が生じることも確認された。

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 128(5), 757-762, 2008-05-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  38件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021132374
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    9495511
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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