増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき : 現状と対策 Variability in Scaled MOS Transistors : Present Status and Measures

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抄録

The present status of variability in characteristics of the state-of-the-art MOS transistors is presented. The statistics of threshold voltage of arrayed transistors show the normal distribution. Special emphasis is placed on the analysis of random threshold voltage fluctuations. A new method to compare the amount of random variations in different fabs and different technologies is proposed. Finally, the measures to the variability of scaled CMOS are discussed.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 128(6), 820-824, 2008-06-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  15件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021132489
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    9531720
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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