障壁層薄層化によるInP系HEMTの特性改善 Improvement in Device Performances of InP-Based HEMTs by Thinning a Barrier Layer

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抄録

The dependences of source resistance, <i>R<sub>s</sub></i>, transconductance, <i>g<sub>m</sub></i>, gate capacitance, <i>C<sub>gs</sub></i>, <i>C<sub>gd</sub></i>, and cutoff frequency, <i>f<sub>T</sub></i>, of InP-based HEMTs on an InAlAs barrier layer thickness, <i>d</i>, were investigated. We divided <i>R<sub>s</sub></i> into 4 elements and analyzed the effect of thinning a barrier layer. The resistance originated from the large band discontinuity between InAlAs and InGaAs decreased by thinning a barrier layer, while the resistance in the gate-recessed region increased. As a result, InP-based HEMT with <i>d</i>=10 nm showed lowest <i>R<sub>s</sub></i>. On the other hand, <i>g<sub>m</sub></i> increased monotonically with <i>d</i>, due to the reduction of the gate to channel distance, and <i>g<sub>m</sub><sup>int</sup></i> reached to 2.6 S/mm at <i>d</i>=5 nm. We also estimated <i>f<sub>T</sub></i> by using small-signal measurements. <i>f<sub>T</sub></i> increased with the reduction of <i>d</i>, which results in the improvement in noise characteristics.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 128(6), 861-864, 2008-06-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  8件

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被引用文献:  2件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021132586
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    9531814
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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