障壁層薄層化によるＩｎＰ系ＨＥＭＴの特性改善

• 原 直紀

  富士通（株）

• 高橋 剛

  富士通（株）

• 牧山 剛三

  富士通（株）

• 多木 俊裕

  （株）富士通研究所

書誌事項

タイトル別名

• Improvement in Device Performances of InP-Based HEMTs by Thinning a Barrier Layer
• ショウヘキソウ ハクソウカ ニ ヨル InPケイ HEMT ノ トクセイ カイゼン

抄録

The dependences of source resistance, R_s, transconductance, g_m, gate capacitance, C_gs, C_gd, and cutoff frequency, f_T, of InP-based HEMTs on an InAlAs barrier layer thickness, d, were investigated. We divided R_s into 4 elements and analyzed the effect of thinning a barrier layer. The resistance originated from the large band discontinuity between InAlAs and InGaAs decreased by thinning a barrier layer, while the resistance in the gate-recessed region increased. As a result, InP-based HEMT with d=10 nm showed lowest R_s. On the other hand, g_m increased monotonically with d, due to the reduction of the gate to channel distance, and g_m^int reached to 2.6 S/mm at d=5 nm. We also estimated f_T by using small-signal measurements. f_T increased with the reduction of d, which results in the improvement in noise characteristics.

収録刊行物

• 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）

  電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 128 (6), 861-864, 2008

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• InP系HEMT
• InAlAs/InGaAs
• 障壁層薄層化

詳細情報

• CRID: 1390001204606013184
• NII論文ID: 10021132586
• NII書誌ID: AN10065950
• DOI: 10.1541/ieejeiss.128.861
• ISSN: 13488155
• ISSN: 03854221
• NDL書誌ID: 9531814
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9531814
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/128/6/128_6_861/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可