低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化 Reduction of On-Resistance in Ion-Implanted GaN/AlGaN/GaN HEMTs with Low Gate Leakage Current

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著者

    • 野本 一貴 NOMOTO Kazuki
    • 法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所 Department of Electronics, Electrical and Computer Engineering and Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University
    • 佐藤 政孝 SATOH Masataka
    • 法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所 Department of Electronics, Electrical and Computer Engineering and Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University
    • 中村 徹 NAKAMURA Tohru
    • 法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所 Department of Electronics, Electrical and Computer Engineering and Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University

抄録

Si ion-implanted GaN/AlGaN/GaN HEMTs with extremely low gate leakage current and low source resistance without any recess etching process are demonstrated. The source/drain regions were formed using Si ion implantation into undoped GaN/AlGaN/GaN on sapphire substrate. Using ion implantation into source/drain regions with energy of 80 keV, the performances were significantly improved. On-resistance reduced from 26.2 to 4.3 Ω·mm. Saturation drain current and maximum transconductance increased from 284 to 723 mA/mm and from 48 to 147 mS/mm.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 128(6), 885-889, 2008-06-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021132631
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    9531872
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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