ＳｉＮ膜によるＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造の表面保護効果―熱処理損傷の回復―

• 塩島 謙次

  NTTフォトニクス研究所 福井大学大学院　工学研究科(現所属)

• 重川 直輝

  NTTフォトニクス研究所

書誌事項

タイトル別名

• Surface Passivation Effect of SiN for AlGaN/GaN Hetero Structure-Recovery of Thermal Damage-
• SiNマク ニ ヨル AlGaN GaN ヘテロ コウゾウ ノ ヒョウメン ホゴ コウカ ネツ ショリ ソンショウ ノ カイフク
• —Recovery of Thermal Damage—
• —熱処理損傷の回復—

抄録

An annealing study of the AlGaN/GaN 2DEG structure for HEMTs with or without SiN surface passivation films was conducted with the AlGaN layer thickness dependence taken into consideration. Without SiN, the sheet resistance of the samples with thin AlGaN layers increased significantly upon annealing at 900°C. In contrast, samples with SiN were thermally stable after annealing at up to 900°C even when the AlGaN layer was as thin as 14 nm. Even in the region where the sheet resistance had increased due to the annealing, depositing SiN recovered the sheet resistance to the original values.

収録刊行物

• 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）

  電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 128 (6), 896-899, 2008

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• AlGaN/GaN ヘテロ構造
• HEMT
• SiN
• 表面保護膜
• 熱処理損傷

詳細情報

• CRID: 1390282679582736512
• NII論文ID: 10021132648
• NII書誌ID: AN10065950
• DOI: 10.1541/ieejeiss.128.896
• ISSN: 13488155
• ISSN: 03854221
• NDL書誌ID: 9531892
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9531892
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/128/6/128_6_896/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可