PtSiを用いたせり上げサリサイドの選択エッチングプロセスとHf混晶化による仕事関数変調 A Study on Selective Etching for Elevated PtSi Salicide Process and Work Function Modulation of PtSi Alloying with Hf

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抄録

The selective etching process for elevated self-aligned silicide (salicide) utilizing PtSi has been investigated. We have developed novel selective etching process utilizing a diluted aqua regia followed by a diluted HF light etching. It was found that the residual Pt-rich silicide layers on the sidewall have been successfully removed. We have also investigated a work function modulation of PtSi alloying with Hf. The barrier height for electron of PtSi has been reduced approximately 0.1 eV for Pt<sub>x</sub>Hf<sub>1-x</sub>Si formed by the silicidation of Pt(17 nm)/Hf(4 nm)/Si(100) stacked layer structures.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 128(6), 900-904, 2008-06-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  15件

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被引用文献:  4件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021132657
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    9531909
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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