ＧａＡｓのスクラッチ加工におけるクラック発生機構の結晶方位依存性　　第２報：押込み加工における結晶方位依存性

• 森田 昇

  富山大学大学院理工学研究部

• 川堰 宣隆

  富山県工業技術センター

• 田代 雄介

  富山大学大学院理工学研究科（現，（株）太陽工機）

書誌事項

タイトル別名

• Dependence of crack generation process on crystal orientation in scratching of gallium arsenide
• GaAs ノ スクラッチ カコウ ニ オケル クラック ハッセイ キコウ ノ ケッショウ ホウイ イソンセイ ダイ2ホウ オシコミ カコウ ニ オケル ケッショウ ホウイ イソンセイ
• 第2報：押込み加工における結晶方位依存性

抄録

本研究は，GaAs半導体の研削加工におけるクラック発生機構を明らかにすることを目的としている．前報では，傾斜ステージを持ったスクラッチ加工機を試作し，これを用いたGaAsの加工実験を行った．これより，GaAsにおけるクラックの発生は結晶方位に強く依存し，その傾向はSiのそれとは大きく異なることがわかった．本報ではこの現象を静的に観察するため，ビッカース圧子による押込み加工を行った．その結果，クラックの発生は結晶方位によって大きく変化し，<100>方向で最もメジアンクラックが生じやすいことがわかった．一方，[011]，[0-1-1]方向では[0-11]，[01-1]方向と比較してラテラルクラックやメジアンクラックが生じやすい．また，加工痕を隣接させて加工すると，応力場の干渉によって脆性破壊が生じやすい．このため脆性破壊を生じないためには，切込み量や加工痕間の距離が極めて重要な因子となることがわかった．

収録刊行物

• 砥粒加工学会誌

  砥粒加工学会誌 52 (7), 406-411, 2008

  社団法人 砥粒加工学会

キーワード

• gallium arsenide
• indentation test
• scratching test
• brittle fracture
• crystal orientation

詳細情報

• CRID: 1390282679309692288
• NII論文ID: 10021136822
• NII書誌ID: AN10192823
• DOI: 10.11420/jsat.52.406
• ISSN: 18807534
• ISSN: 09142703
• NDL書誌ID: 9570897
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9570897
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可