光照射を重畳したCF_3イオンビームによるSiO_2エッチング率の測定 SiO_2 Etching Yield Measurements by CF_3 Ion Beam Injections Superposed with Light Irradiation

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著者

    • 幾世 和将 IKUSE Kazumasa
    • 大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • 吉村 智 YOSHIMURA Satoru
    • 大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • 滝澤 敏史 [他] TAKIZAWA Toshifumi
    • 大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • 唐橋 一浩 KARAHASHI Kazuhiro
    • 大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • 木内 正人 KIUCHI Masato
    • 大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • 浜口 智志 HAMAGUCHI Satoshi
    • 大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University

抄録

  Etching yields of SiO<sub>2</sub> by CF<sub>3</sub> ion beam injections with or without simultaneous light irradiation have been measured by a low-energy mass-selected ion beam system. A Xe Lamp, an L2D2 lamp, an Ar ICP (inductively coupled plasma) or a VUV (Vacuum Ultraviolet) Lamp was used separately as the light source. The etching yield is the ratio of the number of incident ions to that of removed atoms. The obtained SiO<sub>2</sub> etching yields by simultaneous irradiation of CF<sub>3</sub> ions and photons from the light source were smaller than those by ion beam irradiation only. This difference in etching yields may be caused by modification of CF<sub>x</sub> polymer formation on the substrate surface during the beam etching process.<br>

収録刊行物

  • 真空  

    真空 51(3), 158-161, 2008-03-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  6件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021156954
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    18822398
  • NDL 記事登録ID
    9471448
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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