パルスレーザー堆積法によりシクロオレフィンポリマー基板上に作製したアルミニウムドープ酸化亜鉛系透明導電膜 Fabrication of Al-doped Transparent Conducting ZnO Film on COP Substrates by PLD Method

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著者

    • 中村 篤宏 NAKAMURA Atsuhiro
    • 大阪産業大学工学部電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, College of Engineering, Osaka Sangyo University
    • 道畑 良太 MICHIHATA Ryota
    • 大阪産業大学工学部電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, College of Engineering, Osaka Sangyo University
    • 青木 孝憲 [他] SUZUKI Akio
    • 大阪産業大学工学部電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, College of Engineering, Osaka Sangyo University
    • 鈴木 晶雄 AOKI Takanori
    • 大阪産業大学工学部電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, College of Engineering, Osaka Sangyo University
    • 松下 辰彦 MATSUSHITA Tatsuhiko
    • 大阪産業大学工学部電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, College of Engineering, Osaka Sangyo University

抄録

  Approximately 230 nm-thick Al-doped transparent conducting zinc oxide films (AZO) have been deposited on Cyclo Olefin Polymer (COP) substrates with ZnO buffer layer fabricated under oxygen partial pressure of 0.5~5.3 Pa, by pulsed laser deposition (PLD) using ArF excimer laser (λ=193 nm). When the ZnO buffer layer was fabricated with oxygen partial pressure of 5.3 Pa, the lowest resistivity obtained for the AZO film was 4.12×10<sup>-4</sup> Ω•cm.<br>

収録刊行物

  • 真空  

    真空 51(3), 178-181, 2008-03-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  11件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021156999
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    18822398
  • NDL 記事登録ID
    9471512
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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