高周波電力を重畳した直流反応性スパッタ法によるTaAl-N薄膜の作製 TaAl-N Thin Film Prepared by Radio Frequency and Direct Current Reactive Sputtering

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抄録

  The electrical characteristics of TaAl-N thin films prepared by radio frequency (RF) superimposed and direct current (DC) reactive sputtering method was investigated. The properties of TaAl-N thin films were strongly influenced by the sputtering method. In the condition of Rn=30% [Rn=F(N2)/(F(N2)+F(Ar))], total pressure 0.3 Pa, the resistivity (at RT) was 3.1 Ωcm and the TCR (at 150°C) (the temperature coefficient of the resistivity) was (-) 13000 ppm/°C. The stresses of TaAl-N thin films were relieved.<br>

収録刊行物

  • 真空  

    真空 51(3), 208-210, 2008-03-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  5件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021157069
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    18822398
  • NDL 記事登録ID
    9471593
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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