高周波電力を重畳した直流反応性スパッタ法によるＴａＡｌ‐Ｎ膜の作製

• 岡野 夕紀子

  (株)岡野製作所

• 田尻 修一

  (株)岡野製作所

• 青園 隆司

  (株)岡野製作所

• 岡本 昭夫

  大阪府立産業技術総合研究所

• 小川 倉一

  小川創造技術研究所

• 美馬 宏司

  大阪市立大学

書誌事項

タイトル別名

• TaAl-N Thin Film Prepared by Radio Frequency and Direct Current Reactive Sputtering
• 高周波電力を重畳した直流反応性スパッタ法によるTaAl-N薄膜の作製
• コウシュウハ デンリョク オ チョウジョウシタ チョクリュウ ハンノウセイ スパッタホウ ニ ヨル TaAl N ハクマク ノ サクセイ

抄録

  The electrical characteristics of TaAl-N thin films prepared by radio frequency (RF) superimposed and direct current (DC) reactive sputtering method was investigated. The properties of TaAl-N thin films were strongly influenced by the sputtering method. In the condition of Rn=30% [Rn=F(N2)/(F(N2)+F(Ar))], total pressure 0.3 Pa, the resistivity (at RT) was 3.1 Ωcm and the TCR (at 150°C) (the temperature coefficient of the resistivity) was (-) 13000 ppm/°C. The stresses of TaAl-N thin films were relieved.<br>

収録刊行物

• Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｊａｐａｎ

  Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｊａｐａｎ 51 (3), 208-210, 2008

  一般社団法人 日本真空学会

キーワード

• Spectroscopy
• Surfaces and Interfaces
• Instrumentation
• General Materials Science

詳細情報

• CRID: 1390001205295559808
• NII論文ID: 10021157069
• NII書誌ID: AA12298652
• DOI: 10.3131/jvsj2.51.208
• ISSN: 18824749
• ISSN: 18822398
• NDL書誌ID: 9471593
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9471593
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可