低エネルギー質量分離イオンビーム照射装置を用いたSiO_2/Si基板へのインジウムイオン注入 Indium Ion Implantation into SiO_2/Si Substrates with a Low-Energy Mass Analyzed Ion Beam System

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著者

    • 日根 清裕 HINE Kiyohiro
    • 大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • 吉村 智 YOSHIMURA Satoru
    • 大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • 唐橋 一浩 [他] KARAHASHI Kazuhiro
    • 大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • 木内 正人 KIUCHI Masato
    • 大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • 浜口 智志 HAMAGUCHI Satoshi
    • 大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University

抄録

  Implantation of In into SiO<sub>2</sub> thin film substrates by mono-energetic In ion beams was examined with the use of a low-energy mass selected ion beam system. The goal of this study is to develop thin film based In-Si combined catalyzer for organic chemical reactions. In the experiments, In ions were generated by sputtering of an In<sub>2</sub>O<sub>3</sub> target by Ar ions in a Freeman-type ion source and extracted to form, after mass selection, a mono-energetic beam with the peak energy of 470 eV. The ion beam was then injected into SiO<sub>2</sub> thin films formed on Si substrates. By X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray diffraction (XRD), and atomic force microscopy (AFM) measurements, it was found that In nano particles were formed on the SiO<sub>2</sub> thin film surface after the beam injections and the shapes of the particles varied depending on In ion dose.<br>

収録刊行物

  • 真空

    真空 51(3), 218-220, 2008-03-20

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  8件中 1-8件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021157088
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    18822398
  • NDL 記事登録ID
    9471651
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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