高濃度オゾンによるＳｉＣ高速酸化と酸化膜の特性評価

• 野中 秀彦

  産業技術総合研究所

• 一村 信吾

  産業技術総合研究所

• 小杉 亮治

  産業技術総合研究所

• 福田 憲司

  産業技術総合研究所

• 荒井 和雄

  産業技術総合研究所

書誌事項

タイトル別名

• Rapid Oxidation of SiC Using Highly Concentrated Ozone and Characterization of Oxide Films
• コウノウド オゾン ニ ヨル SiC コウソク サンカ ト サンカ マク ノ トクセイ ヒョウカ

抄録

  The highly concentrated (almost 100 vol.%) ozone gas has been utilized to dry oxidation of SiC single crystal substrates by using a quartz furnace with local heating by a halogen heater. When the flow velocity of ozone was kept as high as 5 m•cm^-1 or more, the strong oxidizing power of ozone enabled rapid oxidation of SiC at a considerably lower temperature than that for the oxidation in oxygen. The ozone oxidation also resulted in a lower interface state density in the device charactrization for the MOS structure probably because the ozone oxidation was effective in reducing carbon-related defects.<br>

収録刊行物

• Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｊａｐａｎ

  Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｊａｐａｎ 51 (3), 221-223, 2008

  一般社団法人 日本真空学会

キーワード

• Spectroscopy
• Surfaces and Interfaces
• Instrumentation
• General Materials Science

詳細情報

• CRID: 1390282680272264832
• NII論文ID: 10021157097
• NII書誌ID: AA12298652
• DOI: 10.3131/jvsj2.51.221
• ISSN: 18824749
• ISSN: 18822398
• NDL書誌ID: 9471663
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9471663
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可