スパッタリングシミュレーションにおける分子動力学法とモンテカルロ法の比較 Surface Model Dependence in Sputtering Simulation

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抄録

  Low-energy sputtering is studied through molecular dynamics (MD) and binary-collision approximation (BCA) simulations. First, MD simulations as a preliminary study are performed for 5 keV Ar impacts on a Cu target. When random numbers gave the direction of the target crystal axis for each impact, the total sputtering yield almost agreed with the experimental yield of a polycrystalline Cu target. Second, we performed MD and BCA simulations for self-sputtering of W with incident energy of 100 eV and incident angles of 0°-85°. We found that the many-body collision results in high-yield sputtering at grazing incidence. The incident angle dependence of sputtering yields fade out for an MD result with a rough surface.<br>

収録刊行物

  • 真空  

    真空 51(4), 264-269, 2008-04-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  22件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021157280
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    18822398
  • NDL 記事登録ID
    9501344
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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