ナノシリコン層の歪み解析 Analysis of Strain in Semiconductor Nano Scale Films

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抄録

  A thin silicon nanooverlayer (SNOL) fabricated by oxidation and etch-back in a Separation by IMplantation of OXygen wafer was investigated by grazing incident X-ray diffraction at incident angles between 0.01° and 0.1° below the critical angle of total reflection (0.18°). We measured {220} reflections by probing the sample with respect to surface normal and found that the SNOL has finite domains under strain close to the surface. We also found that annealing the sample up to 1000°C significantly reduced inhomogeneous strain and increased the size of the domains in the surface region of the SNOL.<br>

収録刊行物

  • 真空  

    真空 51(5), 298-300, 2008-05-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  13件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021157383
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    18822398
  • NDL 記事登録ID
    9540938
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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