パルスレーザー堆積法により作製したアルミドープ酸化亜鉛透明導電膜の超薄膜化 Ultra Thin Al-doped Transparent Conducting Zinc Oxide Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition Method

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著者

    • 中村 真貴 NAKAMURA Masataka
    • 大阪産業大学工学部電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, College of Engineering, Osaka Sangyo University
    • 生田 公洋 IKUTA Kimihiro
    • 大阪産業大学工学部電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, College of Engineering, Osaka Sangyo University
    • 青木 孝憲 [他] AOKI Takanori
    • 大阪産業大学工学部電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, College of Engineering, Osaka Sangyo University
    • 鈴木 晶雄 SUZUKI Akio
    • 大阪産業大学工学部電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, College of Engineering, Osaka Sangyo University
    • 松下 辰彦 MATSUSHITA Tatsuhiko
    • 大阪産業大学工学部電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, College of Engineering, Osaka Sangyo University

抄録

  Approximately 20~110 nm-thick Al-doped transparent conducting zinc oxide (AZO) films have been deposited on glass substrates at temperature of 200~300°C by pulse laser deposition (PLD) using ArF excimer laser (λ=193 nm). When fabricated at the substrate temperature of 260°C, 40 nm-thick AZO films showed the lowest resistivity of 2.61×10<sup>-4</sup> Ω•cm.<br>

収録刊行物

  • 真空  

    真空 51(5), 323-325, 2008-05-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  9件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021157473
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    18822398
  • NDL 記事登録ID
    9541062
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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