密度汎関数理論に基づくTiO_2(アナターゼ)薄膜の反応性イオンエッチングの反応評価 Density Functional Theory Based Evaluations of the Reactive Ion Etching Process Model for TiO_2 (anatase) Thin Film

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著者

    • 岸 浩史 KISHI Hirofumi
    • 大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • 尾澤 伸樹 OZAWA Nobuki
    • 大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • ROMAN Tanglaw A.
    • 大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • ARBOLEDA Nelson B. Jr.
    • 大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • DINO Wilson A. T.
    • 大阪大学大学院理学研究科 Department of Physics, Graduate School of Science, Osaka University
    • 中西 寛 NAKANISHI Hiroshi
    • 大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • 笠井 秀明 KASAI Hideaki
    • 大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University
    • 高野 史好 TAKANO Fumiyoshi
    • 産業技術総合研究所 Nanotechnology Research Institute (NRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
    • 島 久 SHIMA Hisashi
    • 産業技術総合研究所 Nanotechnology Research Institute (NRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
    • 秋永 広幸 AKINAGA Hiro
    • 産業技術総合研究所 Nanotechnology Research Institute (NRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)

抄録

  We evaluate the reactivity between the surface of the film and gas molecules and determine the optimum gas combinations by calculating the total energy based on the density functional theory. We propose a model for the etching process of titanium oxide thin films. In this model, we consider three specific states, namely, the initial, intermediate and final states. On etching TiO<sub>2</sub> (anatase), we observed that it is more efficient to have fluorine-based reactive gases (e.g. CHF<sub>3</sub>) than other considered reactive gases (e.g. CH<sub>4</sub>, H<sub>2</sub>O) in order to enhance the etching.<br>

収録刊行物

  • 真空  

    真空 51(6), 397-400, 2008-06-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  15件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021157731
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    18822398
  • NDL 記事登録ID
    9571214
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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