微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析 Formation of silicon oxynitride on vicinal SiC (0001) and structure determination using low-energy electron diffraction

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著者

    • 水野 清義 MIZUNO Seigi
    • 九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻 Department of Molecular and Material Sciences, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Kyushu University
    • 田中 悟 [他] TANAKA Satoru
    • 九州大学大学院工学研究院 エネルギー量子工学部門 Department of Applied Quantum Physics and Nuclear Engineering, Faculty of Engineering, Kyushu University
    • 栃原 浩 TOCHIHARA Hiroshi
    • 九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻 Department of Molecular and Material Sciences, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Kyushu University

収録刊行物

  • 應用物理  

    應用物理 77(10), 1240-1243, 2008-10-10 

    応用物理学会

参考文献:  11件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10021979681
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    9671434
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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