荷電粒子検出用CMOSイメージセンサ

• 高柳 功

  オリンパス光学

• 中村 淳一

  オリンパス光学

• 圦本 尚義

  東京工業大学

• 国広 卓也

  東京工業大学

• 永島 一秀

  東京工業大学

• 小坂 光二

  東京テクノロジー

書誌事項

タイトル別名

• CMOS Image Sensor for Charge Particle Detection
• カデン リュウシ ケンシュツヨウ CMOS イメージ センサ

抄録

積層型荷電粒子検出用CMOSイメージセンサを開発した。本センサを2次イオン質量分析装置に導入し、80dBの広いダイナミックレンジと、良好な線形性を有する荷電粒子像検出システムを実現した。画素のノイズを評価した結果、CMOSセンサの特長である非破壊読み出しを利用してリセットノイズを抑圧できれば、将来的に100dBを超えるダイナミックレンジの実現も可能であると考えられる。

収録刊行物

• 映像情報メディア学会技術報告

  映像情報メディア学会技術報告 23.60 (0), 7-12, 1999

  一般社団法人 映像情報メディア学会

キーワード

• CMOSイメージセンサ
• 非破壊読み出し
• 2次イオン質量分析
• イオン検出
• 荷電粒子

詳細情報

• CRID: 1390282679501777792
• NII論文ID: 110003687274
• NII論文ID: 10022312615
• NII書誌ID: AN1059086X
• DOI: 10.11485/itetr.23.60.0_7
• ISSN: 24241970
• ISSN: 13426893
• NDL書誌ID: 4916129
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4916129
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可