単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価

• 品田 賢宏

  早稲田大学

• 堀 匡寛

  早稲田大学

• 平 圭吾

  早稲田大学

• 小松原 彰

  早稲田大学

• 谷井 孝至

  早稲田大学

• 大泊 巌

  早稲田大学

• 小野 行徳

  NTT

• 遠藤 哲郎

  東北大学

書誌事項

タイトル別名

• Single atom doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2011 (35), 1-4, 2011-03-01

キーワード

• 単一原子ドーピング
• 単一イオン注入
• 離散ドーパント
• ドーパント規則配列

詳細情報

• CRID: 1573950400987867520
• NII論文ID: 10027975634
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles
  • KAKEN