Si基板上のIII-V族ナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタ応用

• 冨岡 克広

  北海道大学

• 福井 孝志

  北海道大学

書誌事項

タイトル別名

• Integration of III-V Nanowires on Si and Surrounding-Gate FET

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2012 (30), 45-50, 2012-03-07

キーワード

• III-V族化合物半導体
• 高速移動度チャネル材料
• ナノワイヤ
• 縦型トランジスタ
• 有機金属気相成長法
• 選択成長法

詳細情報

• CRID: 1570291225825779968
• NII論文ID: 10030322230
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles