窒化物ワイドギャップ半導体の現状と展望―バルクGaN単結晶成長技術開発の観点から

• 天野 浩

  名古屋大学　大学院工学研究科　電子情報システム専攻 名古屋大学　赤﨑記念研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Progress and prospect of the growth of wide-band-gap group III nitrides: Development of the growth method for single-crystal bulk GaN
• チッカブツ ワイドギャップ ハンドウタイ ノ ゲンジョウ ト テンボウ : バルク GaNタンケッショウ セイチョウ ギジュツ カイハツ ノ カンテン カラ

抄録

Ⅲ(13族)―Ⅴ(15族)族化合物半導体の仲間であるGaAsやInPでは，同種基板を用いて薄膜成長が可能であるのに，Ⅲ族窒化物半導体はそれができないというハンディキャップを背負いながら，サファイアやシリコンなど異種基板上に薄膜成長させて，その能力を少しずつ発揮してきた．今後，省・創エネルギー要求がますます高まる中，潜在能力を最大限発揮するためにⅢ族窒化物半導体バルク基板にかかる期待は大きい．本報告では，基板用バルクGaN単結晶成長の現状，およびそれを用いた場合の青色LED，HFETおよび太陽光発電素子について紹介する．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 81 (6), 455-463, 2012-06-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• group III nitride semiconductors
• Na flux method
• bulk GaN single crystal
• blue light emitting diode
• heterostructured field effect transistor
• photovoltaic cell
• laser diode

詳細情報

• CRID: 1390845702290838272
• NII論文ID: 10030594790
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.81.6_455
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 023822518
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023822518
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可