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- 纐纈 明伯
- 東京農工大学 工学府 応用化学専攻
書誌事項
- タイトル別名
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- Current status and future of the hydride vapor phase epitaxy of nitride semiconductors
- チッカブツ ハンドウタイ ノ ハイドライド キソウ セイチョウ ギジュツ ノ ゲンジョウ ト カダイ
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抄録
<p>窒化物半導体の気相成長技術について概説する.気相成長を理解するために,ハイドライド気相成長法の反応機構および熱力学解析結果を示した.さらに,Ⅲ族原料分子を一塩化物から三塩化物に代えた新しいHVPE法の熱力学解析結果を示し,従来,気相成長法では不可能であったAlNおよびInNが新しいHVPE法で可能なことを述べた.加えて,実用上重要なAlGaNおよびInGaN三元混晶の厚膜・高品質結晶成長の可能性について言及した.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 81 (6), 471-478, 2012-06-10
公益社団法人 応用物理学会
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詳細情報
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- CRID
- 1390001277360711296
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- NII論文ID
- 10030594914
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 023822555
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可