Surface Barrier Height Lowering at Above 540K in AlInN/AlN/GaN Heterostructures

• HASAN Md. Tanvir

  Department of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui

• TOKUDA Hirokuni

  Department of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui

• KUZUHARA Masaaki

  Department of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 111 (290), 29-33, 2011-11-10

キーワード

• AlInN
• GaN heterostructure
• 2DEG density
• Surface barrier height

詳細情報

• CRID: 1571698601099608576
• NII論文ID: 10031103952
• NII書誌ID: AN10012954
• 本文言語コード: en
• データソース種別:
  • CiNii Articles